IT之家 7 月 26 日音书，据韩媒 The Elec 报谈，来自分析机构 TechInsights 的 Choi Jeong-dong 博士默示，选拔 3D、4F2、VCT（垂纵贯谈晶体管）等革命结构的 DRAM 内存有望于 0C nm 节点结束量产。
0C nm 即第 3 代 10nm 以下级节点。现在三大 DRAM 原厂起原进的工艺是 1b (1β) nm，即第 6 代 20~10 纳米级节点。
Choi 觉得，不才代 1c nm 后，DRAM 内存行业还将履历 1d nm 节点才会将容颜制程松开至 10nm 以下。
小程序开发四到五年前有部分业内东谈主士觉得，选拔新结构的 DRAM 内存在 1d~0a nm 世代就能面世。
但现在看来 3D DRAM、4F2 DRAM 等手艺仍不熟悉，即使情况顺利，量产至少也要比及 0b nm。以 3D DRAM 为例，现在仍在测试 8、12 层堆叠的内存样品，物联网app开发离 60、90 层堆叠的磋议还有很长的路条目。
▲ 三星电子此前展示的 3D DRAM 道路图
Choi 默示，直到 1b nm 制程，可减少走电流的 HKMG （IT之家注：高介电常数（材料）/金属栅极）工艺还仅在 GDDR、DDR5、LPDDR 的部分产物中行使；
而到 1c nm 节点，HKMG 工艺将被三星电子和 SK 海力士平日行使于整个类型的产物。
至于现存 DRAM 产物，1b nm 将从三季度开动从 1a nm 手中拿下出货量最高制程的头衔；
本届欧洲杯，西班牙攻防两端均有着出色的发挥，小组赛三战全胜晋级，淘汰赛4-1大胜格鲁吉亚，2-1加时绝杀德国。本场又是在三名主力球员伤停缺席的情况下，逆转战胜法国，西班牙也因此成为欧洲杯历史上第一支取得六连胜（非点球大战赢球）的球队。
而在 1b nm DRAM 中物联网软件开发公司，三星电子的产物尺寸最小、SK 海力士的略大、好意思光的最大，但差距并不显赫。