在1b nm DRAM中，三星电子的产物尺寸最小、SK海力士的略大、好意思光的最大，但差距并不显赫。 IT之家 7 月 26 日音书，据韩媒 The Elec 报谈，来自分析机构 TechInsights 的 Choi Jeong-dong 博士默示，选拔 3D、4F2、VCT（垂纵贯谈晶体管）等革命结构的 DRAM 内存有望于 0C nm 节点结束量产。 0C nm 即第 3 代 10nm 以下级节点。现在三大 DRAM 原厂起原进的工艺是 1b (1β) nm，即第 6 代 20~10 纳米

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