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|作家:王理1 刘开辉2 白雪冬1,† (1 中国科学院物理预备所) (2 北京大学物理学院) 本文选自《物理》2024年第6期 具有sp2杂化键的层状氮化硼(BN)以其不凡的化学踏实性、高热导率以及无吊挂键的原子级平整度,成为宽带隙二维绝缘体的优选材料[1—3]。同期,四肢新一代电介质材料,其低介电常数和低介电损耗的特质,也为擢升器件速率和裁减器件功耗提供了物理基础[4]。始终以来,多层BN薄膜的预备主要围聚在常见的六方氮化硼(hBN)上,其层间堆垛格局为AA'A型[5,6]。然而,比年来,
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